$(function () { var flag = 0; var href = "/"; $(".subnav dl").each(function () { var f = $(this).find("dd a").attr("href"); if (f == href) { $(this).find("dd a").addClass("hover"); flag = 1; } }); if (flag == 0) { $(".subnav dl").eq(0).find("dd a").addClass("hover"); } });
手持式光谱仪手持式合金分析仪合金分析仪
$(function () { $(".search-b").click(function () { $(".search").toggle(); }); $(".close").click(function () { $(".search").hide(); }); });
$(function () { $(".subnav dl dt").click(function () { $(this).parent().find('dd').toggle(); $(this).toggleClass('hover'); }); });

联系我们

了解更多详细信息,请致电
400-7102-888
非工作时间服务热线
139 1323 1381
给我们留言
在线留言
微信售后服务二维码

企业动态

您当前所在页: 首页 > 解决方案 > 产品分类 > ICP-MS

应用指南导读 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局

发布日期:2025-01-11  点击次数:

  高压氮化镓(HV CoolGaN™)晶体管★★:快速开关能力给PCB布局带来挑战★★。

  作为宽禁带半导体,氮化镓(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而,GaN器件的高速开关行为也对产生的寄生阻抗,确保电路正常、可靠地运行★★★,并且不会引起不必要的电磁干扰(EMI)。

  寄生元件★:包括寄生电阻★、寄生电容和寄生电感,可导致电路故障★、EMI、振荡等问题。

  《优化HV CoolGaN™功率晶体管PCB布局》应用指南★★★,主要讨论了在使用高压氮化镓(GaN)功率晶体管时,如何通过优化PCB布局来提升整体电气性能和热性能。以下是文件的核心内容提炼:

  快速开关问题★★:GaN晶体管的快速开关导致高峰值电流和dv/dt★★、di/dt值,增加布局挑战。

联系我们

了解更多详细信息,请致电
400-7102-888
非工作时间服务热线
139 1323 1381
给我们留言
在线留言
微信售后服务二维码